| PLASMAS DE RADIOFRECUENCIAS SON LOS FAVORITOS EN LA INDUSTRIA PARA EL PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES, EN LA CUAL LA MITAD DE LOS PROCESOS PARA LA CREACION DE UN MICROBIP SE REALIZAN CON PLASMAS. EN ESTE TRABAJO SE ESTUDIA EL DEPOSITO DE ESTRUCTURAS DE CARBON, DE TAMAÑO SUBMICROMETRICO, SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO USANDO UN PLASMA DE RF DE ACOPLE CAPACITIVO. EL PLASMA ES CARACTERIZADO A TRAVES DE SONDAS DE LANGMUIR, EN LA CUAL UNA PEQUEÑA CORRIENTE RECOLECTADA DEL PLASMA NOS PERMITE OBTENER LOS PARAMETROS CARACTERISTICOS, COMO LO SON LA DENSIDAD Y TEMPERATURA ELECTRONICA. SIN EMBARGO LA CURVA DE CORRIENTE ES DISTORSIONADA POR EL ACOPLE DE RADIOFRECUENCIAS, POR LO CUAL SE CONSTRUYERON FILTROS CHOKES PARA ELIMINAR ESTAñoSCILACION NO DESEADA. SE EVALUO EL DESEMPEÑO DE LOS FILTROS, Y COMO ESTOS PUEDEN SER MEJORADOS AL AGREGAR UN ELECTRODO ADICIONAL DE COMPENSACION. SE PRESENTA LA CARACTERIZACION DE UN PLASMA DE ARGON AL AUMENTO DE LA POTENCIA, DESDE 10 A 300 WATTS, OBSERVANDOSE QUE LA TEMPERATURA ELECTRONICA CAMBIA DESDE 1.5 EV A 3 EV, LOGRANDO DENSIDADES ELECTRONICAS DE 10 10 CM-3. ADEMAS SE PRESENTAN DOS TECNICAS EXPERIMENTALES PARA LA PRODUCCION DE PELICULAS DE CARBON. EN LAS CUALES A TRAVES DE UN PLASMA DE ACETILENO GENERADO A BAJA POTENCIA DE REDIOFRECUENCIAS, MENOR A 70 WATTS, ES POSIBLE DESPOSITAR PELICULAS MUY DELGADAS, CON ESPESOR DE 5 NM Y DENSIDAD SUPERIOR A 2.6 G/CM3, IDENTIFICANDOSE EL RECUBRIMIENTO COMO DLC. A TRAVES DE UN PLASMA DE ACETILENO DILUIDO EN HIDROGENO, FUE POSIBLE PRODUCIR ESFERAS DE CARBON DE TAMAÑO SUBMICROMETRICO. UN TERCER ELECTRODO POLARIZADO NEGATIVAMENTE A -4KV, DURANTE 2 US Y A UNA REPETICION DE 3 KHZ, PERMITIO RECOLECTAR ESFERAS DE CARBON DE CARGA POSITIVA, Y GENERAR RECUBRIMIENTOS MICRO/NANO-ESTRUCTURADOS. LAS PROPIEDADES FISICAS Y QUIMICAS DEL RECUBRIMIENTO FUERON ESTUDIADAS CON MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO, MICROSCOPIA DE FUERZA ATOMICA, REFLECTIVIDAD Y ESPECTROSCOPIA DE RAYOS X, Y ESPECTROMETRIA RAMAN. |